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一. 半导体制造材料
半导体材料处于半导体产业上游，按工艺环节分为制造材料（前道）、封装材料（后道）。
制造材料主要包括七大类：硅片、掩模版、光刻胶、湿电子化学品、抛光材料、电子特气、靶材。
二. 细分环节梳理
2.1 硅片
（1）作用：半导体基底材料，支撑后续光刻、蚀刻等工艺，形成晶体管和电路结构。
（2）组成：由高纯度单晶硅（9N以上）经切割、研磨等工艺制得。
（3）分类：按尺寸分为8英寸、12英寸等；按工艺分为抛光片、外延片、SOI硅片。
（4）海外头部：信越化学（日）、SUMCO（日）、环球晶圆（台）、Siltronic（德）、SK Siltron（韩）。
（5）国内头部：沪硅产业（12英寸龙头）、立昂微。
2.2 掩膜版
（1）作用：光刻工艺中的图形母版，承载着设计好的电路图案。
（2）组成：由高纯度石英玻璃或苏打玻璃制成，表面镀有铬层。
（3）海外头部：Photronics（美）、Toppan（日）、DNP（日）。
（4）国内头部：路维光电、清溢光电、龙图光罩、迪思微。
2.3 光刻胶
（1）作用：光刻工艺中的感光材料，通过曝光显影工艺，将掩模版上的图形转移到硅片光刻胶层。
（2）组成：由树脂、感光剂、溶剂、添加剂组成，经特定波长光照后溶解度改变。
（3）分类：G/I线胶、KrF胶、ArF胶、EUV胶。
（4）海外头部：JSR（日）、东京应化（日）、信越化学（日）、富士胶片（日）、杜邦（美）。
（5）国内头部：南大光电、上海新阳、晶瑞电材、彤程新材。
2.4 湿电子化学品
（1）作用：超净高纯化学试剂，用于晶圆清洗、蚀刻、显影等工艺。
（2）分类：清洗液、蚀刻液、剥离液、显影液等。
（3）海外头部：关东化学（日）、巴斯夫（德）、霍尼韦尔（美）。
（4）国内头部：江化微、飞凯材料。
2.5 抛光材料
（1）作用：用于化学机械抛光（CMP）工艺，实现晶圆表面纳米级平整。
（2）分类：抛光垫、抛光液。
（3）海外头部：Carbot（美）、杜邦（美）。
（4）国内头部：安集科技（抛光液）、鼎龙股份（抛光垫）。
2.6 电子特气
（1）作用：高纯度特种气体，用于蚀刻、沉积、掺杂等工艺。
（2）分类：种类超百种，分为蚀刻气、沉积气、清洗气、掺杂气等。
（3）海外头部：林德集团（德）、液化空气（法）、空气化工（美）、大阳日酸（日）。
（4）国内头部：凯美特气、雅克科技、中船特气、华特气体。
2.7 靶材
（1）作用：用于物理气相沉积（PVD）工艺，靶材原子被溅射出来并沉积到硅片表面形成薄膜。
（2）分类：金属靶材、合金靶材、陶瓷靶材。
（3）海外头部：日矿金属（日）、霍尼韦尔（美）、东曹（日）。
（4）国内头部：江丰电子、阿石创。
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